型号:IPD50N04S4-08 | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 |
系列 | OptiMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 50A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 7.9 毫欧 @ 50A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 17µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 22.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1780pF @ 6V |
功率_最大 | 46W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3-313 |
包装 | 带卷 (TR) |
供应商
深圳市裕坤生电子科技有限公司 | 王小姐13410665908 |
辉华拓展 | 杨泽鹏0755-83202411 |
深圳市俊晖半导体有限公司 | 李先生【原装正品,可开发票】13410941925 |
深圳市鹏顺兴科技有限公司 | 谭小姐0755-23063133/83238712 |
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